ASML已完成可制造1nm芯片的光刻机设计
ASML已完成可制造1nm芯片的光刻机设计
如今最新的量产芯片制程工艺已经来到了5nm,更加先进的3nm、2nm等也在马不停蹄地研发中。
对于芯片制程,其最关键的一个环节就是光刻机。而全球最大的光刻机制造商ASML如今已经基本完成了1nm光刻机的设计工作。
在近期的ITF论坛上,与ASML(阿斯麦)合作研发光刻机的比利时半导体研究机构IMEC公布了3nm及以下制程的在微缩层面技术细节。
就目前而言,ASML对于3m、2nm、1.5nm、1nm甚至Sub 1nm都做了清晰的路线规划,且1nm时代的光刻机体积将增大不少。
据台积电和三星电子介绍,从7nm工艺开始,部分工艺已经推出了NA=0.33的EUV光刻设备,5nm工艺也实现了频率的提高,但对于2nm以后的超精细工艺,需要实现更高的分辨率和更高的光刻设备NA(NA=0.55)。
IMEC表示ASML已经完成了作为NXE:5000系列的高NA EUV曝光系统的基本设计,但商业化计划在2022年左右。这套下一代系统将因其巨大的光学系统而变得非常高大,很有可能顶在传统洁净室的天花板下。
ASML过去一直与IMEC紧密合作开发光刻技术,但为了开发使用高NA EUV光刻工具的光刻工艺,在IMEC的园区里成立了新的“IMEC-ASML高NA EUV实验室”,以促进共同开发和开发使用高NA EUV光刻工具的光刻工艺。该公司还计划与材料供应商合作开发掩模和抗蚀剂。
Van den hove最后表示:“逻辑器件工艺小型化的目的是降低功耗、提高性能、减少面积、降低成本,也就是通常所说的PPAC。除了这四个目标外,随着小型化向3nm、2nm、1.5nm,甚至超越1nm,达到亚1nm,我们将努力实现环境友好、适合可持续发展社会的微处理器。”他表示,将继续致力于工艺小型化,表现出了极大的热情。
据悉ASML目前在售的两款极紫外光刻机分别是TWINSCAN NXE:3400B和TWINSCAN NXE:3400C,3600D计划明年年中出货,生产效率将提升18%。
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